异质结组件

异质结光伏组件优势

依托电投新能在异质结领域的深厚技术积累，公司异质结组件冠军功率可达760W，组件效率达24.47%。组件基于自主优化的微晶硅工艺与成熟的 0BB 无主栅技术，有效降低电阻损耗并提升光电转换效率与长期可靠性。凭借超高双面发电率、优异的温度系数及卓越的弱光响应性能，异质结组件在全生命周期内实现更高能量产出，不仅适用于大型地面电站，也可精准匹配工商业屋顶与户用分布式等多元化应用场景。同时，组件采用丁基胶封边与光转胶膜技术，显著提升封装可靠性，在实现更高发电效率的同时带来更高双面增益与更低功率衰减，为客户创造稳定、可持续的长期价值。

1 / 4

24.47%

组件冠军效率

≤9.7%

更低的生命周期衰减

≤1%

的首年衰减率

≥90.3%

的30年稳定输出功率

99%

91.8%

90.3%

+2~5%

更高双面发电增益

TOPCon

80%

DintoSolar HJT

90%

直射阳光

面板背面的漫射阳光

从地面反射到面板背面的阳光

丁基胶（PIB）+ 双层玻璃

丁基胶、双面镀膜玻璃材料应用，使组件密封性能更高，抗水汽能力更强

<4%

DH3000衰减值

DH1000

2.1%

DH2000

2.8%

DH3000

3.9%

胶膜

玻璃

边框

电池片

玻璃

胶膜

丁基胶

更高效率，源于异质结本质

通过“晶体硅 + 非晶硅”的独特结构，实现HJT电池性能的革命性提升。在硅片正反两面，分别沉积极薄的本征非晶硅（i-a-Si）及掺杂非晶硅层（p-a-Si / n-a-Si），构成异质结的关键界面，有效钝化晶体硅表面，显著减少能量损失，全面释放效率潜力。电投新能异质结电池冠军效率可达 26.9%，组件效率达 24.47%。

更低组件衰减

依托N型硅基片与低温制备工艺，异质结组件几乎杜绝了光致衰减（LID）与电势诱导衰减（PID）的产生，整体衰减率远低于传统电池组件，电投新能HJT组件首年衰减率低于1%，30年生命周期内衰减≤9.7%，为电站投资带来更稳健的收益表现。

更高双面发电增益

HJT电池与生俱来的双面对称结构，是其高双面率的核心根基。电投新能量产HJT组件双面率稳定在90%±5%，其N型晶体硅衬底两侧，均沉积相同的本征非晶硅、掺杂非晶硅层及透明导电氧化物（TCO）膜，使背面光电转换机制与效率近乎等同于正面。相较双面率较低的TOPCon组件，HJT组件双面发电增益可达约2%-5%。

丁基胶（PIB）+ 双层玻璃

丁基胶、双面镀膜玻璃材料应用，使组件密封性能更高，抗水汽能力更强